裏面加工

裏面加工

ウェーハの薄各化研削・裏面電極付けからダイシングまでを一貫で対応します。

加工実績 GaAs 30μm~ 対応可能です。
  InP 80μm~ 対応可能です。
  Si 30μm~ 対応可能です。
  • 各種ウェーハの裏面研削加工
  • 各種ウェーハの裏面金属付け加工

高周波用途のデバイスは、近年さらに高周波化、高パワー化が要求されています。その際、問題となるのが、ウェーハ裏面加工であり、ウェーハをより薄く加工する事が必須であります。その様な薄いウェーハは、ハンドリング等、非常に難しくなります。薄くしたがハンドリングが出来ない等のプロセスについて、当社では裏面加工からダイシングまでを一貫で行うことにより、そのような問題を一気に解決しています。

(1)バックグラインド加工仕様

バックグラインドプロセスについては、現在2仕様の加工が量産化されています。 2仕様の加工プロセスについては下表の通り、100から150μm以下の薄型加工プロセスとそれ以上の厚み加工を行う プロセスに分かれています。

■加工プロセス・A:150μm以下の厚み加工プロセス
サファイヤ等の支持基板を使用するプロセス
■加工プロセス・B:150μm以上の厚み加工プロセス
BGテープを使用するプロセス

(2)バックグラインド歪の取り除き方法

ポリッシング、エッチングを組み合わせて歪取りを行います。

(3)裏面金属加工

裏面金属加工については、スパッター装置を使用して加工を行います。

(4)金メッキ加工

*ウェーハ面内の厚みバラツキ

Auメッキについては、ノンシアンメッキを採用。