裏面加工
・各種ウェーハの裏面研削加工
・各種ウェーハの裏面金属付け加工
高周波用途のデバイスは、近年さらに高周波化、高パワー化が要求されています。その際、問題となるのが、ウェーハ裏面加工であり、ウェーハをより薄く加工する事が必須であります。その様な薄いウェーハは、ハンドリング等、非常に難しくなります。薄くしたがハンドリングが出来ない等のプロセスについて、当社では裏面加工からダイシングまでを一貫で行うことにより、そのような問題を一気に解決しています。
化合物ウェーハ（ＧａＡｓ）は砒素排液の処理が問題となりますが、当社では独自に開発したＡｓ回収装置により全量クローズの排水処理により、環境負荷にやさしい方式を取っています。
（1）バックグラインド加工仕様
バックグラインドプロセスについては、現在2仕様の加工が量産化されています。 2仕様の加工プロセスについては下表の通り、100から150μｍ以下の薄型加工プロセスとそれ以上の厚み加工を行う プロセスに分かれています。
|
■加工プロセス・A
|
||||||
|
||||||
|
■加工プロセス・B
|
||||||
|
||||||
（2）バックグラインド歪の取り除き方法
ポリッシング、エッチングを組み合わせて歪取りを行います。
（3）裏面金属加工
裏面金属加工については、スパッター装置を使用して加工を行います。
（4）金メッキ加工
＊ウェーハ面内の厚みバラツキ
Auメッキについては、シアン系メッキ液を使用しない環境に配慮した、電解メッキを採用。
メッキの面内バラツキについては上記の様な実績となっています。
このページのトップへ