半導体のダイシング加工はお任せください!

ダイシングストリートを広く取ることにより歩留低下に至っていませんか?

  • 35μmま での量産が可能です。
ダイシングテープに
貼られたウェーハ
ダイシング後の写真 カーフ幅35μmの小チップ
チップをばらばらにした製品

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スループットの低下に困っていませんか?

  • 120mm/sec量産が可能です。

250μm□のチップを80(mm/sec)⇒120(mm/sec)に変えた場合のカット時間=
150%UP

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チッピングを抑えるためステップカットを導入したことで
加工時間とコストUPに繋がっていませんか?

  • ハーフカット+ブレーキングで低コスト量産が可能です。
ハーフカット+ブレーキング方式 自社で独自に開発した全自動ブレーキング装置
自社で独自に開発した全自動
ブレーキング装置

ダイシング方法

ダイシング方法

※ステップカットを1パスカットに変更⇒更に2スピンドルディアル
カットでのカット時間短縮

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裏面チッピングで悩んでいませんか?

  • 裏面チッピング30μm以内が可能です。
裏面チッピング実力分布 裏面チッピング観察写真
裏面チッピング実力分布 裏面チッピング観察写真

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折接強度をアップしたいが困っていませんか?
チップ強度を確保したいが抗折強度の低下又はバラツキで悩んでいませんか?

  • 裏面加工、ダイシング仕様により抗接強度のUPが図れます。

折接強度実力分布

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難削材の切断に困っていませんか?

  • テープ固定からワックス固定等幅広いワークの固定方法とレジン材質、金属材質、又はメッキ成長等の各種組み合わせでの加工が可能です。

①GaAs製品はカーフ幅60μmでチッピング15μm以下、チップサイズ250μmを確保することで取得率のUPを実現致します。

②InPチップ欠け、チッピングで悩んでいませんか?
当社ではInPについては長年のダイシング経験のもと、InPのダイシングにおいても高い歩留を確保してダイシング加工サービスを提供しています。

③その他電子材料
セラミック、GaN、SiC、サファイア等の新素材にも対応できるテストカットで新条件に向けた試作体制に対応しています。

レジンブレード テープ固定
メタルブレード ワックス固定
電鋳ブレード
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